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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Inductively Coupled Plasma Etching of GaN and Induced Defects

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

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https://hal.science/hal-00444488

Soumis le : mercredi 6 janvier 2010-16:36:37

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00444488 , version 1 (06-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00444488 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Aline Meritan, Mohamed Boufnichel, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Inductively Coupled Plasma Etching of GaN and Induced Defects. AVS 56th International Symposium & Exhibition, Nov 2009, San Jose, United States. ⟨hal-00444488⟩

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