Study of SiOxFy passivation layer deposited in SiF4/O2 ICP discharge - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Study of SiOxFy passivation layer deposited in SiF4/O2 ICP discharge

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00444361 , version 1 (06-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00444361 , version 1

Citer

Jeremy Pereira, Laurianne E. Pichon, Remi Dussart, Corinne Y. Duluard, El-Houcine Oubensaid, et al.. Study of SiOxFy passivation layer deposited in SiF4/O2 ICP discharge. AVS 55th International Symposium & Exhibition, Oct 2008, Boston, United States. ⟨hal-00444361⟩
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