A comparative study on O2 and SO2 passivating chemistry for silicon deep cryogenic etching - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

A comparative study on O2 and SO2 passivating chemistry for silicon deep cryogenic etching

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Corinne Y. Duluard

Fonction : Auteur
PersonId : 748296
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ORCID : 0000-0003-1773-6551

Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Thomas Tillocher

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Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

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Soumis le : mardi 22 décembre 2009-11:43:40

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Dates et versions

hal-00442683 , version 1 (22-12-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00442683 , version 1

Citer

Corinne Y. Duluard, Thomas Tillocher, Laurianne E. Pichon, Remi Dussart, Philippe Lefaucheux, et al.. A comparative study on O2 and SO2 passivating chemistry for silicon deep cryogenic etching. AVS 53rd International Symposium & Exhibition, Nov 2009, San Francisco, United States. ⟨hal-00442683⟩

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