Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs

M. Faqir
  • Fonction : Auteur
G. Verzellesi
  • Fonction : Auteur
F. Fantini
  • Fonction : Auteur
F. Danesin
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
E. Zanoni
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
A. Touboul
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
C. Dua
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00415763

Soumis le : jeudi 10 septembre 2009-19:23:49

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00415763 , version 1 (10-09-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00415763 , version 1

Citer

M. Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, G. Meneghesso, et al.. Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs. 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, May 2008, Leuven, Belgium. ⟨hal-00415763⟩

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