Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs

Mustapha Faqir
  • Fonction : Auteur
G. Verzellesi
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F. Fantini
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F. Danesin
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F. Rampazzo
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E. Zanoni
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Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova]
G. Meneghesso
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Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova]
Nathalie Labat
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : jeudi 2 juillet 2009-18:32:09

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00401301 , version 1 (02-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00401301 , version 1

Citer

Mustapha Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, F. Rampazzo, et al.. Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs. 32th workshop on Compound semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE, Jun 2008, Leuven, Belgium. pp.111-112. ⟨hal-00401301⟩

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