Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2008

Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques

Moshine Bouya
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Malbert
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Dominique Carisetti
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Philippe Perdu
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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : jeudi 2 juillet 2009-10:40:35

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00400906 , version 1 (02-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00400906 , version 1

Citer

Moshine Bouya, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Dominique Carisetti, Philippe Perdu, et al.. Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques. Microelectronics Reliability, 2008, 48 (8-9), pp.1366-1369. ⟨hal-00400906⟩

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