Statistics of electrical breakdown field in HfO2 and SiO2 films from millimeter to nanometer length scales - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

Statistics of electrical breakdown field in HfO2 and SiO2 films from millimeter to nanometer length scales

C. Sire
CV
S. Blonkowski
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
M. Gordon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique

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https://hal.science/hal-00394766

Soumis le : vendredi 12 juin 2009-14:15:50

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00394766 , version 1 (12-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00394766 , version 1

Citer

C. Sire, S. Blonkowski, M. Gordon, T. Baron. Statistics of electrical breakdown field in HfO2 and SiO2 films from millimeter to nanometer length scales. Applied Physics Letters, 2007, pp.91 242905. ⟨hal-00394766⟩

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