Electronic properties of Ge nanocrystals for non volatile memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Electronic properties of Ge nanocrystals for non volatile memory applications

M. Kanoun
  • Fonction : Auteur
A. Souifi
  • Fonction : Auteur
C. Busseret
  • Fonction : Auteur
A. Poncet
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Gautier
  • Fonction : Auteur

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00394741

Soumis le : vendredi 12 juin 2009-13:53:49

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00394741 , version 1 (12-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00394741 , version 1

Citer

M. Kanoun, A. Souifi, C. Busseret, A. Poncet, T. Baron, et al.. Electronic properties of Ge nanocrystals for non volatile memory applications. Solid-State Electronics, 2006, pp.50(7-8) July-Aug. (2006) 1310-14. ⟨hal-00394741⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM NANOMATERIALS
84 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More