Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO/sub 2/ matrix for non volatile memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: C Année : 2006

Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO/sub 2/ matrix for non volatile memory applications

M. Kanoun
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Gautier
  • Fonction : Auteur
A. Souifi
  • Fonction : Auteur

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00394738

Soumis le : vendredi 12 juin 2009-13:52:25

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00394738 , version 1 (12-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00394738 , version 1

Citer

M. Kanoun, T. Baron, E. Gautier, A. Souifi. Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO/sub 2/ matrix for non volatile memory applications. Materials Science and Engineering: C, 2006, pp.26(2-3) March 2006, 360-3. ⟨hal-00394738⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM NANOMATERIALS
55 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More