Semi-analytical modeling of short channel effects in Si and Ge symmetrical double-gate MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2008

Semi-analytical modeling of short channel effects in Si and Ge symmetrical double-gate MOSFETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00392897

Soumis le : mardi 9 juin 2009-11:29:40

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51

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Dates et versions

hal-00392897 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392897 , version 1

Citer

A. Tsormpatzoglou, C. Dimitriadis, R. Clerc, Q. Rafhay, G. Pananakakis, et al.. Semi-analytical modeling of short channel effects in Si and Ge symmetrical double-gate MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 54 (8), pp.1943-1946. ⟨hal-00392897⟩

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