A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs

T. Ernst; R. Ritzenthaler; O. Faynot; S. Cristoloveanu

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2007

A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs

(1) , , (1) , (2)

1
2

T. Ernst

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

R. Ritzenthaler

Fonction : Auteur

O. Faynot

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

S. Cristoloveanu

Fonction : Auteur
PersonId : 172108
IdHAL : sorin-cristoloveanu
ORCID : 0000-0002-3576-5586
IdRef : 030493188

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00392888

Soumis le : mardi 9 juin 2009-11:24:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:15

Dates et versions

hal-00392888 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00392888 , version 1

Citer

T. Ernst, R. Ritzenthaler, O. Faynot, S. Cristoloveanu. A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54 (6), pp.1366-1375. ⟨hal-00392888⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UNIV-SAVOIE UGA CNRS FMNT IMEP-LAHC CMNE DRT LETI CEA-GRE CROMA

47 Consultations

0 Téléchargements

A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs

Domaines

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Partager