15nm-diameter 3D Stacked Nanowires with optional Independent Gates operation (?FET) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

15nm-diameter 3D Stacked Nanowires with optional Independent Gates operation (?FET)

C. Dupré
  • Fonction : Auteur
A. Hubert
  • Fonction : Auteur
S. Bécu
  • Fonction : Auteur
M. Jublot
V. Maffini-Alvaro
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C. Vizioz
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F. Aussenac
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C. Arvet
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S. Barnola
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J.-M. Hartmann
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G. Garnier
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F. Allain
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J.-P. Colonna
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M. Rivoire
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L. Baud
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S. Pauliac
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V. Loup
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P. Rivallin
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O. Faynot
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T. Ernst
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S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392154 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392154 , version 1

Citer

C. Dupré, A. Hubert, S. Bécu, M. Jublot, V. Maffini-Alvaro, et al.. 15nm-diameter 3D Stacked Nanowires with optional Independent Gates operation (?FET). IEEE International Electron Devices Meeting 2008, San Francisco, USA, Dec 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00392154⟩
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