Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes

, (1) , , , , (1)

1

E. Buccafurri

Fonction : Auteur

R. Clerc

Fonction : Auteur
PersonId : 173341
IdHAL : raphael-clerc
ORCID : 0000-0002-2256-4849
IdRef : 140481990

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

F. Calmon

Fonction : Auteur
PersonId : 20789
IdHAL : francis-calmon
ORCID : 0000-0001-5076-076X
IdRef : 096255838

M. Pala

Fonction : Auteur
PersonId : 178951
IdHAL : marco-pala
ORCID : 0000-0001-5733-515X
IdRef : 185867715

A. Poncet

Fonction : Auteur

G. Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00391921

Soumis le : vendredi 5 juin 2009-10:42:51

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21

Dates et versions

hal-00391921 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00391921 , version 1

Citer

E. Buccafurri, R. Clerc, F. Calmon, M. Pala, A. Poncet, et al.. Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes. ISCS 2008, The International Symposium on Compound Semiconductors, Sep 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00391921⟩

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