Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films

V. Edon; M.C. Hugon; B. Agius; C. Cohen; Christophe Cardinaud; C. Eypert

doi:10.1016/j.tsf.2007.03.179

Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2007

Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films

, , , , (1) ,

1

V. Edon

Fonction : Auteur

M.C. Hugon

Fonction : Auteur

B. Agius

Fonction : Auteur

C. Cohen

Fonction : Auteur

Christophe Cardinaud

Fonction : Auteur
PersonId : 759248
ORCID : 0000-0002-9753-8848
IdRef : 060603011

Institut des Matériaux Jean Rouxel

C. Eypert

Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Richard BASCHERA : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00391760

Soumis le : jeudi 4 juin 2009-16:15:06

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-00391760 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00391760 , version 1
DOI : 10.1016/j.tsf.2007.03.179

Citer

V. Edon, M.C. Hugon, B. Agius, C. Cohen, Christophe Cardinaud, et al.. Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films. Thin Solid Films, 2007, 515 (20-21), pp.7782. ⟨10.1016/j.tsf.2007.03.179⟩. ⟨hal-00391760⟩

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