THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors

N. Dyakonova (1) , D. Coquillat (1) , F. Teppe (1) , W. Knap (1) , M.E. Levinshtein , S.L. Rumyantsev , M.A. Poisson (2) , S. Delage , Christophe Gaquière (3) , S. Vandenbrouk , A. Cappy (3)

1 GES - Groupe d'étude des semiconducteurs
2 THALES, Laboratoire Central de Recherches
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines: Physique Générale [physics.gen-ph]

N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, et al.. THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors. V International Conference “Basic Problems of Optics, 2008, St Petersburg, Russia. pp.21. ⟨hal-00390707⟩