Investigation of 2 inch SiC layers grown in a resistively-heated LP-CVD reactor with horizontal “hot-walls” - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Investigation of 2 inch SiC layers grown in a resistively-heated LP-CVD reactor with horizontal “hot-walls”

Thierry Chassagne
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860781
NOVASiC
André Leycuras
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860783
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Carole Balloud
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Philippe Arcade
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Hervé Peyre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860706
Groupe d'étude des semiconducteurs
Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839245
Groupe d'étude des semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Hervé Peyre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00389899

Soumis le : samedi 30 mai 2009-00:34:48

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00389899 , version 1 (30-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00389899 , version 1

Citer

Thierry Chassagne, André Leycuras, Carole Balloud, Philippe Arcade, Hervé Peyre, et al.. Investigation of 2 inch SiC layers grown in a resistively-heated LP-CVD reactor with horizontal “hot-walls”. 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2003), Oct 2003, Lyon, France. pp.273-276. ⟨hal-00389899⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-MONTPELLIER UNIV-COTEDAZUR CRHEA
50 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More