FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE

R. Madar (1) , M. Pons (2) , Francis Baillet (2) , L. Charpentier , Etienne Pernot (1) , D. Chaussende (1) , D. Turover

1 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
2 LTPCM - Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques

Domaines: Matériaux

R. Madar, M. Pons, Francis Baillet, L. Charpentier, Etienne Pernot, et al.. FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE. Patent n° : EP1511884. TOP. 2005. ⟨hal-00386315⟩