Optimisation de l'IIP3 des amplificateurs faible bruit par effet de substrat

Résumé : Ce papier décrit l'effet de substrat sur la linéarité des amplificateurs faible bruit (LNA), en technologie CMOS 0.13µm et en particulier sur le point d'interception d'ordre 3, IIP3. Les résultats de simulations faites sur un LNA à dégénérescence inductive montrent que l'IIP3 passe par un maximum pour une tension bulk-source donnée. Le circuit alimenté sous une tension de 1.1V, consomme 3mA, il présente un gain nominal de 13.86 dB et un facteur de bruit de 3.2 dB pour une fréquence de 2.4GHz. La variation de la tension VBS révèle un maximum d'IIP3 de 6.63 dBm obtenu pour un VBS de -0.55V avec une consommation de puissance de 1.1mW.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00380916
Contributor : Equipe Conception de Circuits <>
Submitted on : Monday, May 4, 2009 - 4:37:59 PM
Last modification on : Wednesday, October 9, 2019 - 9:30:27 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00380916, version 1

Citation

Aya Mabrouki, Thierry Taris, Yann Deval, Jean-Baptiste Begueret. Optimisation de l'IIP3 des amplificateurs faible bruit par effet de substrat. 16èmes Journées Nationales Microondes 2009, May 2009, Grenoble, France. pp.51-69. ⟨hal-00380916⟩

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