Optimisation de l'IIP3 des amplificateurs faible bruit par effet de substrat - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Optimisation de l'IIP3 des amplificateurs faible bruit par effet de substrat

Résumé

Ce papier décrit l'effet de substrat sur la linéarité des amplificateurs faible bruit (LNA), en technologie CMOS 0.13µm et en particulier sur le point d'interception d'ordre 3, IIP3. Les résultats de simulations faites sur un LNA à dégénérescence inductive montrent que l'IIP3 passe par un maximum pour une tension bulk-source donnée. Le circuit alimenté sous une tension de 1.1V, consomme 3mA, il présente un gain nominal de 13.86 dB et un facteur de bruit de 3.2 dB pour une fréquence de 2.4GHz. La variation de la tension VBS révèle un maximum d'IIP3 de 6.63 dBm obtenu pour un VBS de -0.55V avec une consommation de puissance de 1.1mW.

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00380916 , version 1 (04-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00380916 , version 1

Citer

Aya Mabrouki, Thierry Taris, Yann Deval, Jean-Baptiste Begueret. Optimisation de l'IIP3 des amplificateurs faible bruit par effet de substrat. 16èmes Journées Nationales Microondes 2009, May 2009, Grenoble, France. pp.51-69. ⟨hal-00380916⟩
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