Electrical characterization of 5kV SiC bipolar diodes in switching transient regime - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Electrical characterization of 5kV SiC bipolar diodes in switching transient regime

Tarek Ben Salah
  • Fonction : Auteur
Damien Risaletto
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1245822
Christophe Raynaud
  • Fonction : Auteur
Dominique Bergogne
  • Fonction : Auteur
Dominique Planson
  • Fonction : Auteur
Hervé Morel

Résumé

A new experimental set-up is developed and validated to characterize high voltage diodes in switch transient regime. Parameters extracted from DMTVCA and OCVD techniques is validated in a buck converter on a resistive load. The experimental set-up enable to measure nice current and voltage transient characteristics, i.e. without noise and high parasitic wiring influence. Experimental results are confronted to device simulations and a good agreement is found.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00369457 , version 1 (19-03-2009)

Identifiants

Citer

Tarek Ben Salah, Damien Risaletto, Christophe Raynaud, Kamel Besbes, Sami Ghedira, et al.. Electrical characterization of 5kV SiC bipolar diodes in switching transient regime. ECPEA 2007, Sep 2007, Aalborg, Denmark. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2007.4417681⟩. ⟨hal-00369457⟩
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