Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00367693
Soumis le : jeudi 12 mars 2009-10:39:35
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00367693 , version 1
Citer
H. Lahreche, A. Wilk, P. Bove, M. Lijadi, R. Langer, et al.. Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT epitaxy on silicon and engineering substrates exhibiting improved performances. Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy. ⟨hal-00367693⟩
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