Integration of VO2 thin films presenting a semiconductor to metal phase transition for fabrication of microwave switches and tunable filters - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Integration of VO2 thin films presenting a semiconductor to metal phase transition for fabrication of microwave switches and tunable filters

Aurelian Crunteanu
MINACOM
Julien Givernaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915829
MINACOM
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Arnaud Pothier
MINACOM
CV
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM

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https://hal.science/hal-00367419

Soumis le : mercredi 11 mars 2009-11:13:51

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00367419 , version 1 (11-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00367419 , version 1

Citer

Aurelian Crunteanu, Julien Givernaud, Corinne Champeaux, Alain Catherinot, Arnaud Pothier, et al.. Integration of VO2 thin films presenting a semiconductor to metal phase transition for fabrication of microwave switches and tunable filters. JNTE'08 French Symposium on Emerging Technologies for Micro-Nanofabrication, Nov 2008, Toulouse, France. ⟨hal-00367419⟩

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