Impact of n-type channel implantation on performance of p-type Schottky barrier MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Impact of n-type channel implantation on performance of p-type Schottky barrier MOSFETs

N. Breil
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
A. Pouydebasque
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00367365

Soumis le : mercredi 11 mars 2009-10:08:29

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00367365 , version 1 (11-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00367365 , version 1

Citer

N. Breil, Emmanuel Dubois, A. Pouydebasque, T. Skotnicki. Impact of n-type channel implantation on performance of p-type Schottky barrier MOSFETs. Proceedings of the 12th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2007, 2007, Kyoto, Japan. ⟨hal-00367365⟩

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