Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs

G. Raymond
  • Fonction : Auteur
Pascal Morin
  • Fonction : Auteur
Arnaud Devos
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D.A. Hess
  • Fonction : Auteur
M. Braccini
CV
F. Volpi

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00366988

Soumis le : mardi 10 mars 2009-11:02:52

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00366988 , version 1 (10-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00366988 , version 1

Citer

G. Raymond, Pascal Morin, Arnaud Devos, D.A. Hess, M. Braccini, et al.. Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs. Proceedings of the Third International Conference on Innovations on Thin Films Processing and Characterisation, ITFPC07, 2007, Nancy, France. ⟨hal-00366988⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
14 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More