Electrical and Structural Characterizations of BGaN Thin Films Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy

Type de document :
Communication dans un congrès
International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland
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Contributeur : Cécile Schreiber <>
Soumis le : jeudi 19 février 2009 - 12:24:55
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00362788, version 1

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Citation

T. Baghdadli, S. Ould Saad Hamady, S. Gautier, T. Moudakir, A. Ougazzaden, et al.. Electrical and Structural Characterizations of BGaN Thin Films Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy. International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland. 〈hal-00362788〉

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