Electrical and Structural Characterizations of BGaN Thin Films Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362788 , version 1 (19-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362788 , version 1

Citer

T. Baghdadli, S. Ould Saad Hamady, S. Gautier, T. Moudakir, A. Ougazzaden, et al.. Electrical and Structural Characterizations of BGaN Thin Films Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy. International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland. ⟨hal-00362788⟩
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