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Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Benchmarking of low band gap III-V based-HEMTs and sub-100nm CMOS under low drain voltage regime

S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
L. Desplanque
X. Wallart
Yannick Roelens
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
M. Borg
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
J. Grahn
  • Fonction : Auteur
D. Smith
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine

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https://hal.science/hal-00362727

Soumis le : jeudi 19 février 2009-10:53:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362727 , version 1 (19-02-2009)

Identifiants

Citer

S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, Yannick Roelens, M. Malmkvist, et al.. Benchmarking of low band gap III-V based-HEMTs and sub-100nm CMOS under low drain voltage regime. 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.20-23, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412637⟩. ⟨hal-00362727⟩

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