Investigation of behavior and potentialities in high frequency range of metallic source/drain architecture for advanced MOSFET transistors

R. Valentin

Autre Publication Scientifique Année : 2008

Investigation of behavior and potentialities in high frequency range of metallic source/drain architecture for advanced MOSFET transistors

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R. Valentin

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00362090

Soumis le : mardi 17 février 2009-11:19:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00362090 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00362090 , version 1

Citer

R. Valentin. Investigation of behavior and potentialities in high frequency range of metallic source/drain architecture for advanced MOSFET transistors. 2008. ⟨hal-00362090⟩

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