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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(001) by molecular beam epitaxy for microwave applications

S. Joblot
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur
P. Vennegues
  • Fonction : Auteur
Sébastien Chenot
  • Fonction : Auteur
P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
M. Portail
J. Massies
  • Fonction : Auteur
J.C. Gerbedoen
A. Soltani
Christophe Gaquière
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00362029

Soumis le : mardi 17 février 2009-10:25:38

Dernière modification le : vendredi 9 février 2024-09:57:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362029 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362029 , version 1

Citer

S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, P. Vennegues, Sébastien Chenot, et al.. High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(001) by molecular beam epitaxy for microwave applications. Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2008, Symposium C : Advances in GaN, GaAs, SiC, and Related Alloys on Silicon Substrates, 2008, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00362029⟩

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