Synthesis and electrical properties of the Si/SiO2/σ-C60-σ/Hg junction - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Synthesis and electrical properties of the Si/SiO2/σ-C60-σ/Hg junction

David Guérin
S. Lenfant
CV
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00361966

Soumis le : mardi 17 février 2009-08:53:56

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361966 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361966 , version 1

Citer

David Guérin, S. Lenfant, D. Vuillaume. Synthesis and electrical properties of the Si/SiO2/σ-C60-σ/Hg junction. 4th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'08, 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00361966⟩

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