Investigation of the ytterbium silicide as low Schottky barrier source/drain contact material for n-type MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Investigation of the ytterbium silicide as low Schottky barrier source/drain contact material for n-type MOSFET

Dmitri Yarekha
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
S. Godey
X. Wallart
Caroline Soyer
Denis Remiens
N. Reckinger
  • Fonction : Auteur
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00361550

Soumis le : lundi 16 février 2009-10:31:46

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361550 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361550 , version 1

Citer

Dmitri Yarekha, G. Larrieu, Emmanuel Dubois, S. Godey, X. Wallart, et al.. Investigation of the ytterbium silicide as low Schottky barrier source/drain contact material for n-type MOSFET. Journées Nationales sur les Technologies Emergentes en Micro-nanofabrication, JNTE 08, 2008, Toulouse, France. ⟨hal-00361550⟩

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