AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet and dry etching for mesa isolation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet and dry etching for mesa isolation

A. Olivier
  • Fonction : Auteur
T. Gehin
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
A. Cappy
S. Bollaert
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
J. Grahn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00360405

Soumis le : mercredi 11 février 2009-10:37:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360405 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

A. Olivier, T. Gehin, L. Desplanque, X. Wallart, Yannick Roelens, et al.. AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet and dry etching for mesa isolation. IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702979⟩. ⟨hal-00360405⟩

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