Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication

E. Mairiaux
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360403 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, Gilles Dambrine, M. Zaknoune. Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication. IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702971⟩. ⟨hal-00360403⟩
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