Characterization of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Characterization of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs

G. Raymond
  • Fonction : Auteur
Pascal Morin
  • Fonction : Auteur
D.A. Hess
  • Fonction : Auteur
M. Braccini
F. Volpi
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360388 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

G. Raymond, Pascal Morin, Arnaud Devos, D.A. Hess, M. Braccini, et al.. Characterization of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs. 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008, 2008, Italy. pp.199-202, ⟨10.1109/ULIS.2008.4527173⟩. ⟨hal-00360388⟩
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