Commutateurs RF-microondes basés sur la transition réversible semi-conducteur-métal de films de VO2 déposés par ablation laser. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Commutateurs RF-microondes basés sur la transition réversible semi-conducteur-métal de films de VO2 déposés par ablation laser.

Frédéric Dumas-Bouchiat
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface
Aurelian Crunteanu
MINACOM
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM

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https://hal.science/hal-00358881

Soumis le : mercredi 4 février 2009-17:09:02

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00358881 , version 1 (04-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00358881 , version 1

Citer

Frédéric Dumas-Bouchiat, Corinne Champeaux, Alain Catherinot, Aurelian Crunteanu, Pierre Blondy. Commutateurs RF-microondes basés sur la transition réversible semi-conducteur-métal de films de VO2 déposés par ablation laser.. 10èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2008., Apr 2008, LIMOGES, France. pp.Session Posters : P4. ⟨hal-00358881⟩

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