Article Dans Une Revue
Open Electrical and Electronic Engineering Journal
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00357799
Soumis le : lundi 2 février 2009-09:03:32
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, J.F. Carlin, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology. Open Electrical and Electronic Engineering Journal, 2008, 2, pp.1-7. ⟨10.2174/1874129000802010001⟩. ⟨hal-00357799⟩
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