Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2008

Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography

T. Xu
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
CV
D. Stievenard
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Yannick Coffinier
Rabah Boukherroub
R. Larde
CV
E. Cadel
P. Pareige

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https://hal.science/hal-00357357

Soumis le : vendredi 30 janvier 2009-10:38:42

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00357357 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

T. Xu, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, Yannick Coffinier, et al.. Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, 26, pp.1960-1963. ⟨10.1116/1.3021371⟩. ⟨hal-00357357⟩

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