GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6 µm grown by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6 µm grown by molecular beam epitaxy

W.K. Loke
  • Fonction : Auteur
S.F. Yoon
  • Fonction : Auteur
Z. Xu
  • Fonction : Auteur
K.H. Tan
  • Fonction : Auteur
T.K. Ng
  • Fonction : Auteur
Y.K. Sim
  • Fonction : Auteur
S. Wicaksono
  • Fonction : Auteur
N. Saadsaoud
  • Fonction : Auteur
J. Chazelas
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00357306 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

W.K. Loke, S.F. Yoon, Z. Xu, K.H. Tan, T.K. Ng, et al.. GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6 µm grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 2008, 93, pp.081102-1-3. ⟨10.1063/1.2976124⟩. ⟨hal-00357306⟩
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