Mosaicity and stress effects on luminescence properties of GaN

A. Toure; A. Bchetnia; T.A. Lafford; Z. Benzarti; I. Halidou; Z. Bougrioua; B. El Jani

doi:10.1002/pssa.200778869

Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2008

Mosaicity and stress effects on luminescence properties of GaN

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A. Toure

Fonction : Auteur

A. Bchetnia

Fonction : Auteur

T.A. Lafford

Fonction : Auteur

Z. Benzarti

Fonction : Auteur

I. Halidou

Fonction : Auteur

Z. Bougrioua

Fonction : Auteur
PersonId : 180745
IdHAL : zahia-bougrioua
ORCID : 0000-0003-3579-7091
IdRef : 113374135

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

B. El Jani

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00357274

Soumis le : vendredi 30 janvier 2009-08:18:18

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00357274 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00357274 , version 1
DOI : 10.1002/pssa.200778869

Citer

A. Toure, A. Bchetnia, T.A. Lafford, Z. Benzarti, I. Halidou, et al.. Mosaicity and stress effects on luminescence properties of GaN. physica status solidi (a), 2008, 205, pp.2042-2046. ⟨10.1002/pssa.200778869⟩. ⟨hal-00357274⟩

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