Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

G. Larrieu; Emmanuel Dubois; Dmitri Yarekha; N. Breil; N. Reckinger; Xing Tang; J. Ratajczak; A. Laszcz

doi:10.1016/j.mseb.2008.10.014

Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2008

Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

, (1) , , , , , ,

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G. Larrieu

Fonction : Auteur

Emmanuel Dubois

Fonction : Auteur
PersonId : 738944
IdHAL : emmanuel-dubois-iemn
ORCID : 0000-0002-0347-010X
IdRef : 134290291

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

CV

Dmitri Yarekha

Fonction : Auteur
PersonId : 746988
IdHAL : dmitri-yarekha
IdRef : 068447507

N. Breil

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N. Reckinger

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Xing Tang

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J. Ratajczak

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A. Laszcz

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https://hal.science/hal-00356976

Soumis le : jeudi 29 janvier 2009-10:28:11

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00356976 , version 1 (29-01-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00356976 , version 1
DOI : 10.1016/j.mseb.2008.10.014

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, Dmitri Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, et al.. Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance. Materials Science and Engineering: B, 2008, 154-155, pp.159-162. ⟨10.1016/j.mseb.2008.10.014⟩. ⟨hal-00356976⟩

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