Low-temperature grown GaAsSb with sub-picosecond photocarrier lifetime for continuous-wave terahertz measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEICE Transactions on Electronics Année : 2008

Low-temperature grown GaAsSb with sub-picosecond photocarrier lifetime for continuous-wave terahertz measurements

J. Sigmund
  • Fonction : Auteur
Jean-Francois Lampin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
V. Ivannikov
  • Fonction : Auteur
C. Sydlo
  • Fonction : Auteur
M. Feiginov
  • Fonction : Auteur
D. Pavlidis
  • Fonction : Auteur
P. Meissner
  • Fonction : Auteur
H.L. Hartnagel
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00356957

Soumis le : jeudi 29 janvier 2009-10:10:56

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00356957 , version 1 (29-01-2009)

Identifiants

Citer

J. Sigmund, Jean-Francois Lampin, V. Ivannikov, C. Sydlo, M. Feiginov, et al.. Low-temperature grown GaAsSb with sub-picosecond photocarrier lifetime for continuous-wave terahertz measurements. IEICE Transactions on Electronics, 2008, E91-C, pp.1058-1062. ⟨10.1093/ietele/e91-c.7.1058⟩. ⟨hal-00356957⟩

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