Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2008
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00356667
Soumis le : mercredi 28 janvier 2009-11:02:40
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
B.G. Vasallo, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Cappy, et al.. Comparison between the noise performance of double- and single-gate InP-based HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.1535-1540. ⟨10.1109/TED.2008.921982⟩. ⟨hal-00356667⟩
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