Selective growth of GaN nanodots and nanostripes on 6H-SiC substrates by metal organic vapor phase epitaxy

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physica status solidi (c), Wiley, 2009, 6 (S2), pp.S510-S513
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mardi 28 octobre 2008 - 11:39:06
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00335012, version 1

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W.H. Goh, J. Martin, S. Ould-Saad Hamadi, A. Martinez, L. Le Gratiet, et al.. Selective growth of GaN nanodots and nanostripes on 6H-SiC substrates by metal organic vapor phase epitaxy. physica status solidi (c), Wiley, 2009, 6 (S2), pp.S510-S513. 〈hal-00335012〉

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