GaN materials growth by MOVPE in a new design of reactor using DMHy and NH3

Type de document :
Communication dans un congrès
IC MOVPE, 2006, Miyazaki, Japan
Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00334614
Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : lundi 27 octobre 2008 - 14:00:44
Dernière modification le : jeudi 9 février 2017 - 15:33:07

Identifiants

  • HAL Id : hal-00334614, version 1

Citation

S. Gautier, C. Sartel, S. Ould Saad Hamady, J. Martin, A. Sirenko, et al.. GaN materials growth by MOVPE in a new design of reactor using DMHy and NH3. IC MOVPE, 2006, Miyazaki, Japan. 〈hal-00334614〉

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