Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
Jean Paul Salvestrini : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00334605
Soumis le : lundi 27 octobre 2008-13:49:19
Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00334605 , version 1
Citer
S. Gautier, T. Aggerstam, T. Moudakir, S. Ould Saad, G. Orsal, et al.. HeteroEpitaxial growth of crystalline GaN epilayers on LiNbO3 substrate by MOVPE. EW-MOVPE XII, Jun 2007, Bratislava, Czech Republic. ⟨hal-00334605⟩
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