HeteroEpitaxial growth of crystalline GaN epilayers on LiNbO3 substrate by MOVPE

Type de document :
Communication dans un congrès
EW-MOVPE XII, Jun 2007, Bratislava, Czech Republic
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : lundi 27 octobre 2008 - 13:49:19
Dernière modification le : mercredi 29 novembre 2017 - 15:28:38

Identifiants

  • HAL Id : hal-00334605, version 1

Citation

S. Gautier, T. Aggerstam, T. Moudakir, S. Ould Saad, G. Orsal, et al.. HeteroEpitaxial growth of crystalline GaN epilayers on LiNbO3 substrate by MOVPE. EW-MOVPE XII, Jun 2007, Bratislava, Czech Republic. 〈hal-00334605〉

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