Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs

P.M. Mans
  • Fonction : Auteur
S. Jouan
  • Fonction : Auteur
A. Pakfar
  • Fonction : Auteur
S. Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
F. Brossard
  • Fonction : Auteur
A. Perrotin
  • Fonction : Auteur
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00327463

Soumis le : mercredi 8 octobre 2008-15:00:26

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-14:53:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00327463 , version 1 (08-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00327463 , version 1

Citer

P.M. Mans, S. Jouan, A. Pakfar, S. Fregonese, F. Brossard, et al.. Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs. 7th IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, Jan 2008, Orlando, United States. pp._. ⟨hal-00327463⟩

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