Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy

S.H. Margueron (1) , P. Bourson (1) , S. Gautier (1) , A. Soltani (2, 3) , David Troadec (2, 4) , Jean-Claude de Jaeger (2, 3) , A.A. Sirenko , A. Ougazzaden

1 LMOPS - Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
4 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN

Domaines: Optique [physics.optics]

S.H. Margueron, P. Bourson, S. Gautier, A. Soltani, David Troadec, et al.. Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy. Journal of Crystal Growth, 2008, 310, pp.5321-5326. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.09.145⟩. ⟨hal-00322862⟩