Thin gate oxide behavior during plasma patterning of Silicon gates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1999

Thin gate oxide behavior during plasma patterning of Silicon gates

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00285340 , version 1 (05-06-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00285340 , version 1

Citer

L. Vallier, L. Desvoires, M. Bonvalot, O. Joubert. Thin gate oxide behavior during plasma patterning of Silicon gates. Applied Physics Letters, 1999, 75(8),, pp.1069. ⟨hal-00285340⟩
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