Electrical properties of Ta2O5 films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition using TaF5 source

R.A.B. Devine; Laurent Vallier; Jean-Luc Autran; P. Paillet; J.L. Leray

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1996

Electrical properties of Ta2O5 films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition using TaF5 source

, (1) , (2) , (3) ,

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R.A.B. Devine

Fonction : Auteur

Laurent Vallier

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Jean-Luc Autran

Fonction : Auteur
PersonId : 18174
IdHAL : jean-luc-autran
ORCID : 0000-0001-9893-014X
IdRef : 069261539

Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence

P. Paillet

Fonction : Auteur

DAM Île-de-France

J.L. Leray

Fonction : Auteur

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00284566

Soumis le : mardi 3 juin 2008-12:37:46

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Dates et versions

hal-00284566 , version 1 (03-06-2008)

Identifiants

HAL Id : hal-00284566 , version 1

Citer

R.A.B. Devine, Laurent Vallier, Jean-Luc Autran, P. Paillet, J.L. Leray. Electrical properties of Ta2O5 films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition using TaF5 source. Applied Physics Letters, 1996, 68 ((13),), pp.1775. ⟨hal-00284566⟩

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