Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00284400
Soumis le : mardi 3 juin 2008-08:54:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Christophe Gaquière, F Medjdoub, J.F. Carlin, S. Vandenbrouck, E. Delos, et al.. AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications. IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007, 2007, United States. pp.2145-2148, ⟨10.1109/MWSYM.2007.380349⟩. ⟨hal-00284400⟩
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