Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00284387
Soumis le : mardi 3 juin 2008-08:07:33
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Larrieu, Emmanuel Dubois, R. Valentin, N. Breil, Francois Danneville, et al.. Low temperature implementation of dopant-segregated band-edge metallic S/D junctions in thin-body SOI p-MOSFETs. IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007, 2007, United States. pp.147-150, ⟨10.1109/IEDM.2007.4418886⟩. ⟨hal-00284387⟩
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