DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs

M. Borg
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
A. Cappy
S. Bollaert
J. Grahn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00284022

Soumis le : lundi 2 juin 2008-10:08:39

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00284022 , version 1 (02-06-2008)

Identifiants

Citer

M. Borg, E. Lefebvre, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs. 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07, 2007, Japan. pp.67-70, ⟨10.1109/ICIPRM.2007.381124⟩. ⟨hal-00284022⟩

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